一种薄膜热敏电阻阵列的制作方法

yu9988

1. 一种薄膜热敏电阻阵列的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤一：清洗硅片，去除表面原生氧化层、有机物污染，然后干燥；
步骤二：在硅片表面沉积一层牺牲层；
步骤三：采用多次涂布的方法，旋涂PI 预聚体，采用阶梯升温法热固化形成PI 薄膜；
步骤四：旋涂光刻胶，并对其进行光刻、显影，使热敏电阻阵列及其电连接部分的图形
定义在光刻胶图形层；所述电连接部分包括导线和焊盘；
步骤五：在光刻胶图形层上溅射所需的金属热敏薄膜层；
步骤六：去除光刻胶图形层，同时剥离掉光刻胶图形层上附着的金属热敏薄膜，使需要
的热敏薄膜层图形保留下来，然后干燥；
步骤七：旋涂光刻胶，对其进行光刻、显影，使电连接层的图形定义在光刻胶图形层；
步骤八：采用电镀的方法，沉积一层电连接层，由于光刻胶图形层的遮挡，只有电连接
部分沉积出金属电连接层，热敏电阻部分被光刻胶图形层保护起来；
步骤九：将光刻胶图形层去除，之后对热敏电阻进行热处理，消除薄膜沉积时产生的应
力；
步骤十：将焊盘部分保护后，放入聚对二甲苯(parylene) 的沉积室，沉积一层聚对二
甲苯保护层，沉积结束后裸露出焊盘；
步骤十一：划片后用对应的牺牲层刻蚀液去除牺牲层，释放PI 薄膜，得到柔性热敏薄
膜电阻阵列。
2. 一种如权利要求1 所述的柔性热敏薄膜电阻阵列的制作方法，其特征在于，所述的
步骤五中的金属热敏薄膜层材料为镍或铂。
3. 一种如权利要求1 所述的柔性热敏薄膜电阻阵列的制作方法，其特征在于，所述的
步骤八中的电连接金属层材料为铜。