图1 玻璃釉与瓷体的界面形貌
Fig.1 SEM photos of the inte**ces of the glass and ceramics
2.3 银浆与玻璃釉的匹配及烧银工艺的确定
为了防止玻璃釉的过烧因此银浆的烧渗温度必须比玻璃浆的烧渗温度低鉴于B2 B3 玻璃浆的烧渗温度范围为850±10 所以银浆的烧渗温度应选择在750 以下由于端头银浆是采用浸封方式封端因此要求银浆的黏度适中流平性好适合浸封工艺此外最重要的是要求烧银后的银浆与玻璃釉层及端面的NTC 瓷体的结合强度要好本次实验选用了日本纳美仕东荣电子洛德公司等多家电子浆料生产厂家的银浆与已涂B2 B3 玻璃釉的芯片进行匹配实验实验结果如表4 表5 所示从表5 可见实验E1 E2 E5 均表现出阻值精度差只有实验E3 E4 的各项性能都较好因此笔者优选出玻璃浆B3 的烧渗温度范围为840~860银浆C1 的烧渗温度范围为670~700 图2 为实验E3 所得芯片的断面形貌从图2 可以看出玻璃釉与银层结合完好
图2 实验E3 的芯片断面形貌
Fig.2 SEM photo of the chip thermistor for experiment E3
2.4 玻璃釉包覆产品与未包覆产品的性能比较表6 为玻璃釉包覆产品与未包覆产品的性能对比结果从表6 中可以看出包覆产品的阻值精度更高稳定性更好产品的可靠性得以提高
3 结论
1 通过玻璃浆与银浆的工艺调整实验优选烧结方片尺寸为33 mm 33 mm 确定以表面光滑致密的高铝瓷片作为承烧板选择匹配完好的玻璃浆B3烧渗温度为840~860 带速8 cm/min 和银浆C1烧渗温度为670~700 研制成功了玻璃釉包覆型 片式NTC热敏电阻
2 所研制的产品比传统的片式NTC 热敏电阻具有更高的精度更好的稳定性更高的可靠性该产品具有广阔的市场空间。