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1. 一种薄膜热敏电阻阵列的制作方法,其特征在于,包括如下步骤:
步骤一:清洗硅片,去除表面原生氧化层、有机物污染,然后干燥;
步骤二:在硅片表面沉积一层牺牲层;
步骤三:采用多次涂布的方法,旋涂PI 预聚体,采用阶梯升温法热固化形成PI 薄膜;
步骤四:旋涂光刻胶,并对其进行光刻、显影,使热敏电阻阵列及其电连接部分的图形
定义在光刻胶图形层;所述电连接部分包括导线和焊盘;
步骤五:在光刻胶图形层上溅射所需的金属热敏薄膜层;
步骤六:去除光刻胶图形层,同时剥离掉光刻胶图形层上附着的金属热敏薄膜,使需要
的热敏薄膜层图形保留下来,然后干燥;
步骤七:旋涂光刻胶,对其进行光刻、显影,使电连接层的图形定义在光刻胶图形层;
步骤八:采用电镀的方法,沉积一层电连接层,由于光刻胶图形层的遮挡,只有电连接
部分沉积出金属电连接层,热敏电阻部分被光刻胶图形层保护起来;
步骤九:将光刻胶图形层去除,之后对热敏电阻进行热处理,消除薄膜沉积时产生的应
力;
步骤十:将焊盘部分保护后,放入聚对二甲苯(parylene) 的沉积室,沉积一层聚对二
甲苯保护层,沉积结束后裸露出焊盘;
步骤十一:划片后用对应的牺牲层刻蚀液去除牺牲层,释放PI 薄膜,得到柔性热敏薄
膜电阻阵列。
2. 一种如权利要求1 所述的柔性热敏薄膜电阻阵列的制作方法,其特征在于,所述的
步骤五中的金属热敏薄膜层材料为镍或铂。
3. 一种如权利要求1 所述的柔性热敏薄膜电阻阵列的制作方法,其特征在于,所述的
步骤八中的电连接金属层材料为铜。
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