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薄膜热敏电阻的制作方法,属于微机电系统(MEMS) 领域。该方法首先在硅片上沉积一层牺牲层;在其上旋涂PI 预聚体,经热固化形成PI 薄膜;然后旋涂光刻胶,光刻图形化后溅射所需的金属热敏薄膜层;采用剥离的方法得到热敏薄膜层图形;之后再旋涂光刻胶,光刻图形化后电镀形成电连接金属层;去胶后可以对热敏电阻进行热处理;最后沉积一层聚对二甲苯保护层,去除牺牲层后得到柔性薄膜电阻阵列。本发明工艺简单,热敏电阻的连接性更为可靠,导线电阻的干扰也较小,使得其作为传感器敏感元件时测量精度大为提高,且能够在保证感器敏感性的条件下,应用于潮湿、水下等环境。
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